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你说的问题正是AMD迟迟未支持DDR2的原因，虽然DDR2内存工艺进步，频率有了很大提升，但是由于内存时序的延迟增加，性能并未提高，因此AMD迟迟没有发布集成了支持DDR2内存控制器的CPU。不过经过AMD的实际测试，当内存频率达到ddr667这个水平时基本可以弥补因为延迟带来的性能损失。
对于你的提问，502频率提升非常的小，但是时序延迟增加0.5得不偿失，建议你使用498。另外你说的为什么高频率会产生较高的内存延迟，这是因为在高频工作时，为了修复检测因为频率过高带来的数据同步以及信号干扰问题，无法避免使得延迟增加。
在给电脑购买内存的时候，大多数人会注重看内存的容量和频率参数，一般来说容量越大越好，频率越高越好。当然，这两个参数很重要，但还有另一个重要参数往往被大家忽略，它便是内存时序。那么，什么是内存时序，它对内存性能又会有哪些影响？本期科普，闪德君就带大家一起来认识认识这一内存参数。
时序会对内存芯片上各种常见操作之间的延迟产生影响，如果延迟超过一定限度，就会影响到内存的性能。一句话来概括，内存的时序是对内存在执行其各种操作时可能经历的固有延迟的描述。
内存的时序是以时钟周期来衡量的，大家可能在内存条的产品页面上看到一串由破折号分隔的数字，比如16-18-18-38，这些数字便被称为内存时序。本质上来讲，由于它们代表了延迟，所以时序自然越低越好。这四个数字代表了所谓的 「主要时序」，对延迟的影响最为显著。
内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位都是时间周期。其中CL（CAS Latency）表示「列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数」；tRCD（RAS to CAS Delay）表示「内存行地址传输到列地址的延迟时间」；tRP（RAS Precharge Time）表示「内存行地址选通脉冲预充电时间」；tRAS（RAS Active Time）表示「行地址激活的时间」。
看完上面这些，大家是不是更迷惑了？别急，下面我们举个简单例子来讲讲。
我们可以把内存存储数据的地方想象成一个网格，且每个方格都存储着不同的数据，CPU需要什么数据，就向内存发出相应的指令。
比如CPU想要C3位置的数据。内存在接收到CPU的指令后，要先确定数据具体在哪一行，时序的第二个参数tRCD就代表这个时间，意思是内存控制器接收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。
内存确定了数据所在的行之后，要想找出数据，还得确定列。时序的第一个数字也就是CL，就表示内存确定行数之后，还要等待多长时间，才能访问具体的列。
确定了行数和列数之后，就能准确找到目标数据，所以CL是一个准确的值，任何改动都会影响目标数据的位置，所以它在时序中是最关键的一个参数，对内存性能的发挥有着举足轻重的作用。
内存时序的第三个参数tRP，就是已经确定了一行，还要再确定另外一行所需要等待的时间。
第四个参数tRAS，可以简单理解成内存写入或读取数据的一个时间，它一般接近于前三个参数的总和。
所以，在保障稳定性的前提下，内存时序越低越好。但我们知道现在有不少内存条都能够超频，而高频率和低时序相互矛盾，一般频率上去了，时序就得有所牺牲，要想时序足够低，频率又很难拔高。比如今年各大存储厂商发布的DDR5内存，频率确实升上去了，但时序也相对DDR4内存来说要高上不少。
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